Mono- and Multi-crystalline wafer and brick 🌠lifetime measurement device

应用人数：用作国际惯例(li)品𝔉质(zhi)保证(zheng)规范(fan)、优势(shi)互补质(zhi)料开发的单晶体(ti)和多(duo)晶片及晶锭的年(nian)限测量(liang)

都按照SEMI标准规范PV9-1110的非战(zhan)斗式和高质量(liang)显像(xiang)(μPCD / MDP(Q꧙SS))、光电(d🎃ian)公司导性、功率电(dian)阻率和p/n查(cha)抄(chao)。

晶圆切，炉内实时监控，资科整(zheng)合等。


在平时质保期仗量，的(de)质量控制和(he)核实
 
◆产出量(liang)：>240块/天(tian)或>720片/天(tian)
◆测(ce)量传(chuan)🐼输率(lv)：对(dui)156x156x400mm国家标准(zhun)晶锭，<四(si)分钟
◆产(chan)于(yu)土(tu)壤改良：1mm水(shui)刀切♉割(ge)规程为(wei💯)156x156x400mm规程晶锭
◆品格合理：在(zai)任务管理器和资科(ke)的品格风控，如单晶体(ti)硅或多晶硅
◆自净法测定(ding)：发起(qi)源于(yu)炉和技能的五金(Fe)
◆靠经得下性：摸块化和坚忍(ren)不拔抗(kang)造的(d𒈔e)(de)企业设备，会(hui)高的(de)(de)靠经得下性和行驶💦情况下> 99%
◆可一直性(xing):> 99.5%
◆电阻(zu)值率：不要常效正(zheng)

紧密配合文(wen)件研(yan)究开发

铁盐浓度测定(ding)法

陷(xian)井氧浓度(du)(du)旋光度(du)(du)的测定

硼氧法测(ce)

离(li)不开于释放(fang)的仗量(liang)等

特色(se)

*无(wu)触点开关无(wu)破碎(sui)的半导显(xian)著特点
非常(chang)的(de)&ldqꦉuo;外(wai)表通常(chang)看(kan)上去于此”使用年限测量技术
不见(jian)利弊的(de)(de) 舒筋活络度的(de)(de)🥃可视化(hua)管理(li)
积极打孔(kong)规范标准(zhun)界说
环境分辩p/n电导型(xing)更变(bian)查重